收藏本站
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HSR3
Zload
Zsource
Zo
= 5
Ω
f = 980 MHz
f = 820 MHz
f = 820 MHz
f = 980 MHz
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, P
out
= 40 W Avg.
f
MHz
Zsource
Zload
820
3.28 - j3.94
0.78 + j0.24
840
3.12 - j3.93
0.81 + j0.36
860
2.85 - j3.73
0.83 + j0.51
880
2.58 - j3.39
0.82 + j0.70
900
2.44 - j2.98
0.83 + j0.98
920
2.43 - j2.87
1.02 + j1.60
940
2.31 - j2.66
4.12 + j1.11
960
2.17 - j2.54
1.49 - j0.66
980
1.91 - j2.39
0.90 - j0.26
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRFE6S9205HSR5 MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S
MRFE6VP5600HR5 FET RF LDMOS DUAL 230MHZ NI1230
MRFE6VP61K25HSR6 MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S
MRFE6VP6300HSR3 FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4
MRFE6VP8600HSR6 RF FET LDMOS 50V NI1230S
MRFG35002N6AT1 TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5
MRFG35002N6T1 TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
MRFG35003ANR5 TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
相关代理商/技术参数
MRFE6S9205HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9205HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9205HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6S9205HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP100H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors
MRFE6VP100HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP100HR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VP Series 1 GHz 100 W 26 dB Gain PNP RF Power Transistor - CASE 017 AA
MRFE6VP100HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray